直徑：200 mm 或 153 mm
厚度：500 μm 或 1.0 mm
導電類型：N型
晶面取向：(0001) 或者 偏角 0~6 度
應用方向：應用于6、8英寸晶體生長
產(chǎn)品類型：Si面 或者 C面拋光
碳化硅籽晶
產(chǎn)品規(guī)格
| 襯底規(guī)格 | 6英寸導電型 | 8英寸導電型 | ||
| 產(chǎn)品分級 | S級(Supreme grade) | R級(Research grade) | S級(Supreme grade) | R級(Research grade) |
| 直徑 | (153.0 ± 0.2) mm | (200.0 ± 0.2) mm | ||
| 厚度 | (500 ± 25) μm | (500 ± 25) μm | ||
| 導電類型 | n-type | n-type | ||
| 摻雜元素 | Nitrogen | Nitrogen | ||
| 電阻率范圍（Ω·cm） | 0.015 – 0.028 Ω·cm | 0.015 – 0.028 Ω·cm | ||
| 表面粗糙度 | Double-side CMP; C-face Ra≤ 0.2 nm ; Si-face Ra≤ 0.5 nm | |||
| X射線半峰寬 | ≤30 arcsec | ≤60 arcsec | ≤40 arcsec | ≤60 arcsec |
| 微管密度 | ≤0.2 cm-2 | ≤2 cm-2 | ≤1 cm-2 | ≤10 cm-2 |
| 總厚度變化（TTV） | ≤ 10μm | ≤ 10μm | ||
| 局部厚度變化（10*10mm2） | ≤ 3μm | ≤ 3μm | ≤ 3μm | ≤ 5μm |
| 彎曲度（|Bow|） | ≤ 25μm | ≤ 30μm | ≤ 40μm | ≤ 50μm |
| 翹曲度（Warp） | ≤ 40μm | ≤ 50μm | ≤ 60μm | ≤ 75μm |
| 表面取向 | 4° toward [11-20] ±?0.5° | |||
| 包裝 | 單片或者25片包裝 | |||
| 位錯EPD | ≤5000 | / | / | |
| 位錯TSD | ≤300 | / | / | |
| 位錯BPD | ≤1200 | / | / | |
| 裂紋（強光燈觀察） | 0 | |||
| 六方空洞（強光燈觀察） | 0 | 0 | ≤100um, Qty≤10 ea | |
| 多型區(qū)（強光燈觀察） | 0 | 0 | Cumulative area ≤ 5% | |
| 碳包裹物（日光燈觀察） | 0 | Cumulative area≤0.05% | Cumulative area≤0.05% | Cumulative area≤3% |
| 劃痕（強光燈觀察） | 0 | Cumulative length ≤ 150 mm,Qty≤ 5ea |
Cumulative length ≤ 200 mm |
|
| 崩邊/缺口（日光燈觀察） | 0 | 0 | 2 allowed, ≤ 1mm each | |
| 表面沾污 （強光燈觀察） | 0 | |||
| 邊緣去除 | 3mm | |||